Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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Detalhes dos produtos

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Módulo de IGBT
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KHG75H12E4L Módulo IGBT de 8 MHz Distribuição de energia de alta tensão e alta frequência nas indústrias

KHG75H12E4L Módulo IGBT de 8 MHz Distribuição de energia de alta tensão e alta frequência nas indústrias

Nome da marca: Krunter
Número do modelo: KHG75H12E4L
MOQ: 1
Preço: Negociável
Condições de pagamento: Negociável
Capacidade de abastecimento: Negociável
Informações detalhadas
Lugar de origem:
porcelana
Product:
IGBT Module
Output Type:
Rail to Rail
Date Code:
Newest code
Maximum Clock Frequency:
8 MHz
Maximum Junction Temperature:
175°C
Input Voltage Range:
4.5 V to 18 V
Warranty:
365days
Stock:
100PCS
Operating Temperature:
-40 to +125
Configuration:
6-Pack
Maximum Collector Current:
600A
Factory Packing Quantity:
24
Moisture Sensitive:
YES
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.8V
Feature:
High current
Detalhes da embalagem:
Embalagem padrão
Habilidade da fonte:
Negociável
Destacar:

Modulo IGBT KHG75H12E4L

,

Módulo IGBT de 8 MHz

,

Módulo de potência igbt de alta frequência

Descrição do produto

Módulo IGBT KHG75H12E4L para distribuição de energia de alta tensão e alta frequência na indústria

KHG75H12E4L Módulo IGBT de 8 MHz Distribuição de energia de alta tensão e alta frequência nas indústrias 0

KHG75H12E4L

  • Tecnologia NPT IGBT

  • Capacidade de curto-circuito de 10 μs

  • Baixa perda de comutação

  • VCE (sat) com coeficiente de temperatura positivo

  • Quadrado RBSOA

  • Caixa de baixa indutividade

  • Recuperação inversa rápida e suave anti-paralelo FWD

  • Base de cobre isolada utilizando a tecnologia DBC

 
 

 

Aplicação

Diagrama do circuito interno

  • Máquinas de soldar

  • Inversores

  • Aquecimento por indução

  • Máquinas de corte de plasma

KHG75H12E4L Módulo IGBT de 8 MHz Distribuição de energia de alta tensão e alta frequência nas indústrias 1

Parâmetros da especificação

TÍPO VCES
Volts
VGES
Volts
IC
Ampères
VCE(SAT)
Volts
(EON+EOFF)
MJ
TJ Ptot
Capacidade de produção
Circuito Pacote Tecnologia
 
KWG50F12E4T 1200 V ± 20 50A 2.90V 60,9 mJ 150°C 408 Embalagem 4 62 mm ((T) TNP
KWG75F12E4T 1200 V ± 20 75A 2.90V 11.8mJ 150°C 595 Embalagem 4 TNP

KHG75H12E4L Módulo IGBT de 8 MHz Distribuição de energia de alta tensão e alta frequência nas indústrias 2