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Modulo IGBT de corrente de curto-circuito e baixa saturação de VCE para e baixas perdas de comutação KUG100H12S4L

Modulo IGBT de corrente de curto-circuito e baixa saturação de VCE para e baixas perdas de comutação KUG100H12S4L

Nome da marca:	Krunter
Número do modelo:	KUG100H12S4L

Informações detalhadas

Descrição do produto

Informações detalhadas

Place of Origin:

China

Technology:

Collector-Emitter Saturation Voltage:

Collector-Emitter Capacitance:

100pF

Installation Style:

SMD/SMT

Product:

Diode Power Modules

Manufacturer:

Warranty:

365days

Power Dissipation:

Subcategory:

Interface ICs

Lead Times:

Immediately Shipment

Voltage Rating:

1200V

Dimensions:

106.4*61.4*30.5mm

Moisture Sensitive:

Destacar:

Módulo IGBT de corrente de curto-circuito

Módulo IGBT de baixo VCE sat

Modulo IGBT com baixas perdas de comutação

Descrição do produto

Baixo VCE (sat)
Corrente de curto-circuito de 10 μs
Baixas perdas de mudança
Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo
Diodos de rotação livre com queda de tensão dianteira muito baixa e recuperação suave
Pacote padrão industrial com placa de base de cobre

Diagrama do circuito interno

Parâmetros da especificação

TÍPO	VCES	VGES	IC	VCE(SAT)	(EON+EOFF)	TJ	Ptot	Circuito	Pacote	Tecnologia
TÍPO	Volts	Volts	Ampères	Volts	MJ	TJ	Capacidade de produção	Circuito	Pacote	Tecnologia
KUG40H12S4L	1200 V	± 20	40A	2.80V	7.2mJ	150°C	250 W	2 embalagens	34 mm	TNP
KUG50H12S4L	1200 V	± 20	50A	2.80V	7.2mJ	150°C	285W	2 embalagens
KUG75H12S4L	1200 V	± 20	75A	2.80V	100,6 mJ	150°C	395W	2 embalagens
KUG100H12S4L	1200 V	± 20	100A	3.10V	13.4mJ	150°C	555W	2 embalagens
KUG150H12S4L	1200 V	± 20	150A	2.80V	17.0 mJ	150°C	790W	2 embalagens
KUG40H12E4L	1200 V	± 20	40A	2.10V	8.8mJ	175°C	250 W	2 embalagens		FS de trincheira
KUG50H12E4L	1200 V	± 30	50A	1.65V	10.1 mJ	175°C	285W	2 embalagens
KUG75H12E4L	1200 V	± 30	75A	1.65V	18.0 mJ	175°C	395W	2 embalagens
KUG100H12E4L	1200 V	± 30	100A	1.65V	24.8mJ	175°C	555W	2 embalagens
KUG40H12W4L	1200 V	± 20	40A	2.10V	8.4mJ	175°C	250 W	2 embalagens		Trilha rápido.
KUG50H12W4L	1200 V	± 20	50A	2.25V	9.4mJ	175°C	285W	2 embalagens
KUG75H12W4L	1200 V	± 20	75A	2.00V	14.0 mJ	175°C	395W	2 embalagens
KUG100H12W4L	1200 V	± 20	100A	1.90V	19.5mJ	175°C	555W	2 embalagens
KUG150H12W4L	1200 V	± 20	150A	1.90V	27.8mJ	175°C	790W	2 embalagens

Modulo IGBT de corrente de curto-circuito e baixa saturação de VCE para e baixas perdas de comutação KUG100H12S4L 1

Etiquetas:

Machining CNC

Mecânica de ensaio BGA para carcaças de tomadas

Soquete de ensaio

Soquete de ensaio de portador de azimote

Soquete de teste personalizado

Soquete de ensaio Loranger

Injeção moldando

Moldagem

Injecção

Material de plástico

Componente eletrônico

Eletrólise de chumbo

Capacitor de eletrólise em forma de chifre

Capacitor eletrolítico de montagem de superfície

Eletrolisadores de óxido sólido

Pinhas

PIN POGO

Pontas de prova

Pin de curva

Pin do recipiente

Módulo de IGBT

Mini microscópio

Machining CNC

Mecânica de ensaio BGA para carcaças de tomadas

Soquete de ensaio

Soquete de ensaio de portador de azimote

Soquete de teste personalizado

Soquete de ensaio Loranger

Injeção moldando

Moldagem

Injecção

Material de plástico

Componente eletrônico

Eletrólise de chumbo

Capacitor de eletrólise em forma de chifre

Capacitor eletrolítico de montagem de superfície

Eletrolisadores de óxido sólido

Pinhas

PIN POGO

Pontas de prova

Pin de curva

Pin do recipiente

Módulo de IGBT

Mini microscópio

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Modulo IGBT de corrente de curto-circuito e baixa saturação de VCE para e baixas perdas de comutação KUG100H12S4L

Módulo IGBT de corrente de curto-circuito

Módulo IGBT de baixo VCE sat

Modulo IGBT com baixas perdas de comutação

Diagrama do circuito interno

Parâmetros da especificação