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Nome da marca: | Krunter |
Número do modelo: | KES650H12A8L-2M |
Alta densidade de potência com tecnologia IGBT Trench FS
Baixo VCE (sat)
Operação paralela habilitada; conceção simétrica e coeficiente de temperatura positivo
Projeto de baixa indutividade
Sensor de temperatura NTC integrado
Placa de base isolada utilizando tecnologia DBC
Design compacto e robusto com terminais moldados
TÍPO | VBR Volts |
VGS (th) Volts |
Identificação Ampères |
RDS (acendido) mΩ |
IDSS uA |
TJ | Rth ((JC) K/W |
Ptot Capacidade de produção |
Circuito | Pacote | Tecnologia |
KES400H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 2230W | 2 embalagens | ECDUAL3 | SIC MOSFET |
KES650H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 3200 W | 2 embalagens | SIC MOSFET |