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                      | Nome da marca: | Krunter | 
| Número do modelo: | KES650H12A8L-2M | 
Alta densidade de potência com tecnologia IGBT Trench FS
Baixo VCE (sat)
Operação paralela habilitada; conceção simétrica e coeficiente de temperatura positivo
Projeto de baixa indutividade
Sensor de temperatura NTC integrado
Placa de base isolada utilizando tecnologia DBC
Design compacto e robusto com terminais moldados
| TÍPO | VBR Volts  | 
VGS (th) Volts  | 
Identificação Ampères  | 
RDS (acendido) mΩ  | 
IDSS uA  | 
TJ | Rth ((JC) K/W  | 
Ptot Capacidade de produção  | 
Circuito | Pacote | Tecnologia | 
| KES400H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 2230W | 2 embalagens | ECDUAL3 | SIC MOSFET | 
| KES650H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 3200 W | 2 embalagens | SIC MOSFET | 
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