Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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Detalhes dos produtos

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Módulo de IGBT
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Módulo IGBT compacto e leve KES650H12A8L-2M para instalações que poupam espaço

Módulo IGBT compacto e leve KES650H12A8L-2M para instalações que poupam espaço

Nome da marca: Krunter
Número do modelo: KES650H12A8L-2M
Informações detalhadas
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
Destacar:

Módulo IGBT compacto

,

Módulo IGBT de poupança de espaço

,

Modulo IGBT leve

Descrição do produto

KES650H12A8L-2M

  • Alta densidade de potência com tecnologia IGBT Trench FS

  • Baixo VCE (sat)

  • Operação paralela habilitada; conceção simétrica e coeficiente de temperatura positivo

  • Projeto de baixa indutividade

  • Sensor de temperatura NTC integrado

  • Placa de base isolada utilizando tecnologia DBC

  • Design compacto e robusto com terminais moldados

Diagrama do circuito interno

Módulo IGBT compacto e leve KES650H12A8L-2M para instalações que poupam espaço 0

Parâmetros da especificação

TÍPO VBR
Volts
VGS (th)
Volts
Identificação
Ampères
RDS (acendido)
IDSS
uA
TJ Rth ((JC)
K/W
Ptot
Capacidade de produção
Circuito Pacote Tecnologia
KES400H12A8L-2M 1200 V 3.2V 400A 3.7mΩ 200 uA 175°C 0.064 2230W 2 embalagens ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200 V 3.2V 650A 2.2mΩ 200 uA 175°C 0.064 3200 W 2 embalagens SIC MOSFET


Módulo IGBT compacto e leve KES650H12A8L-2M para instalações que poupam espaço 1